Module EXPERIENCE
Le Module EXPERIENCE (MEX) est consacré à l'étude des effets des rayonnements issus de l'environnement spatial sur les composants électroniques. Les types d'effets visés sont la dose ionisante, les effets singuliers et les effets de déplacement. Divers véhicules de test (DUT) ont été choisis dans une liste de dispositifs très sensibles identifiés à partir d'essais réalisés au sol (mémoires, composants linéaires et optoélectroniques, MOSFET de puissance...).
Le MEX est composé d'une partie analogique et d'une partie logique contrôlées par un FPGA et son buffer mémoire. La partie analogique comporte des circuits de mesure reliés au FPGA par l'intermédiaire d'ADCs et de DACs et commande les parties dosimétrie, effet de dose et de déplacement ainsi que la partie SEE (hors SEU). La partie logique est constituée de deux blocs consacrés à la détection des SEU.
La figure ci-dessous montre le Modèle d'ingéniérie du MEX et son boîtier. Le MEX est situé sur le fond de l'instrument ICARE-NG. Son boîtier sert de fixation à l'instrument complet ICARE-NG sur la face interne de mur satellite. De cette façon, le MEX est le plus exposé aux rayonnement venant de l'extérieur du satellite.
Carte du Modèle d'Ingénierie du MEX localisée sur le dessous de l'instrument
Le module EXPERIENCE peut être changé facilement d'une mission à l'autre. L'instrument ICARE-NG fonctionne même si aucun module EXPERIENCE n'est connecté.
Dosimetrie
Cette partie du MEX mesure avec précision la dose ionisante rencontrée par l'instrument CARMEN. Elle utilise deux types de dosimètres : deux RADFET réalisés par le CNRS-LAAS ainsi qu'un dosimètre OSL (luminescence optiquement stimulée) développé par le CEM2 de l'Université Montpellier II. Tous les dosimètres sont placés dans le même secteur afin d'obtenir des mesures comparables.
 Dosimètre RADFET du LAAS/CNRS |  Dosimètre OSL du CEM2 |
DUT
| Référence des DUT | Fonction | Nombre de DUT/MEX | SEE testés |
| HITACHI HM628512C | SRAM 512k*8 | 2 | SEU |
| SAMSUNG KM6840000A | SRAM 512k*8 | 2 | SEU |
| 3D+ MMSR32001608S-C | SRAM 2M*16 | 1 | SEU |
| SAMSUNG K7A81800M 6 | SSRAM 512k*16 | 1 | SEU |
| IDT IDT71V3558S133PSI | SSRAM 512k*16 | 1 | SEU |
| INFINEON HYB39S512800AT | SDRAM 64M*8 | 2 | SEU |
| MICRON MTL48LC64M8A2 | SDRAM 64M*8 | 2 | SEU |
| 3D+ MMSD08512408S-Y SDRAM | 512M*8 | 2 | SEU |
| SAMSUNG K4S560432C SDRAM | 64M*4 | 2 | SEU |
| SAMSUNG KM44V16004B | DDRAM 16M*4 | 2 | SEU |
| CYPRESS CY7C1069 SRAM | 2M*8 | 1 | SEL |
| INTERNATIONAL RECTIFIER IRF360 400V | Nchannel power MOSFET | 4 | SEB |
| NATIONAL SEMICONDUCTORS LM324 | Op amp | 1 | SET |
| NATIONAL SEMICONDUCTORS LM139 | Voltage comparator | 1 | SET |
| ANALOG DEVICES OP470 | Op amp | 1 | SET + SEDR |
Remerciements à D. Peyre, C. Binois et R. Mangeret de EADS-ASTRIUM, M. Melotte, P. Calvel et R. Marec de THALES ALENIA SPACE, T. Dargnies de 3D-Plus, G. Sarrabayrousse du CNRS-LAAS, J.-R. Vaille, P. Garcia et L. Dusseau de l'Université de Montpellier II, N. Poiraudeau de EREMS et enfin F. Malou et J. Bertrand du CNES pour leurt participation à ce projet.
